تعتمد القوة المغناطيسية الناتجة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون على كل من شدة المجال المغناطيسي وبعد الإلكترون؟
طلاب "منصة رمشة" الباحثين عن الإجابة الصحيحة لسؤال: تعتمد القوة المغناطيسية الناتجة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون على كل من شدة المجال المغناطيسي وبعد الإلكترون بيت العلم، في منصتنا منصة رمشة تبنى أجيال وتربيها على التعلم الصحيح للمواد والمعاملات اليومية، فكل مادة لها تأثيرها على الطالب فتجعله يعي كل ما حوله جيداً ويعرف واجباته ومهامه.
تعتمد القوة المغناطيسية الناتجة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون على كل من شدة المجال المغناطيسي وبعد الإلكترون
يجتمع في منصة رمشة معلمونا الأفاضل ليمنحونا شرف التعلم، لننهل من معرفتهم وتربيتهم وأخلاقهم، فكم من مسألة كانت صعبة أصبحت سهلة سلسة بعد شرحهم ومعرفة حلها الصحيح.
تعتمد القوة المغناطيسية الناتجة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون على كل من شدة المجال المغناطيسي وبعد الإلكترون؟
الحل النموذجي:
خطأ.
نعم، تعتمد القوة المغناطيسية الناتجة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون على كل من شدة المجال المغناطيسي وبعد الإلكترون.
تنص قانون لورنتز على أن القوة المغناطيسية المؤثرة على شحنة كهربائية تتحرك في مجال مغناطيسي هي:
F = qvBsinθ
حيث:
F هي القوة المغناطيسية
q هي شحنة الإلكترون
v هي سرعة الإلكترون
B هي شدة المجال المغناطيسي
θ هي الزاوية بين اتجاه حركة الإلكترون واتجاه المجال المغناطيسي.
من هذه المعادلة، يمكن ملاحظة أن القوة المغناطيسية تتناسب طردياً مع شدة المجال المغناطيسي وكمية شحنة الإلكترون. كما أنها تتناسب طردياً مع سرعة الإلكترون. أما الزاوية بين اتجاه حركة الإلكترون واتجاه المجال المغناطيسي، فإنها تحدد اتجاه القوة المغناطيسية.
وفيما يلي شرح لكيفية تأثير كل من شدة المجال المغناطيسي وبعد الإلكترون على القوة المغناطيسية:
تأثير شدة المجال المغناطيسي:
كلما زادت شدة المجال المغناطيسي، زادت قوة القوة المغناطيسية المؤثرة في الإلكترون. وذلك لأن المجال المغناطيسي يؤثر على الإلكترون من خلال قوة التفاعل الكهرومغناطيسي، والتي تزداد بزيادة شدة المجال المغناطيسي.
تأثير بعد الإلكترون:
كلما زاد بعد الإلكترون عن المجال المغناطيسي، قلت قوة القوة المغناطيسية المؤثرة في الإلكترون. وذلك لأن المجال المغناطيسي يضعف بزيادة المسافة.
وعليه، فإن القوة المغناطيسية الناتجة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون هي قوة متناسبة طردياً مع شدة المجال المغناطيسي وكمية شحنة الإلكترون، وتناسب عكسياً بعد الإلكترون عن المجال المغناطيسي.
